Der weltweit erste 256Gb, 48-Layer BiCS FLASH

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Anonim

Der weltweit erste 256Gb, 48-Layer BiCS FLASH


Toshibas Angebot für eine Post-NAND-Welt kommt in Form eines 480-Layer-BiCS-Flash-Geräts.

Toshiba hat einen neuen Durchbruch bei der Entwicklung von Speicherlösungen bekannt gegeben: ein 48 Bit-BiCS-FLASH-Gerät mit 256 GB und 3-Bit-Technologie für drei Zellen pro Zelle. Als Erfinder des Flash-Speichers im Jahr 1984 scheint es nur logisch, dass Toshiba das Unternehmen hinter seiner Weiterentwicklung ist.

"Unsere Ankündigung von BiCS FLASH, der branchenweit ersten 48-Layer-3D-Technologie, ist insofern von großer Bedeutung, als wir eine wettbewerbsfähige, reibungslose Migration zu 3D-Flash-Speicher ermöglichen - um den Bedarf des Speichermarktes nach immer höheren Dichten zu decken." - Scott Nelson, Senior VP TAECs Geschäftsbereich Memory

BiCS (Bit Cost Scalable) Flash-Technologie ist die Zukunft der Post-NAND-Speicherwelt, und ihre Speicherzellen können auf einmal mit Multilayer-Bildung und Ätztechnik gebildet werden. Es verfügt über wesentlich mehr Speicherkapazität als herkömmlicher NAND-Flash-Speicher, höhere Schreib- / Lösch-Zuverlässigkeit und höhere Schreibgeschwindigkeiten.

Diese Innovation erhöht den Speicherplatz in Smartphones und Tablets erheblich. Die Massenproduktion für die Erinnerung wird in der ersten Hälfte 2016 beginnen.